ДЕФЕКТЫ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ВЫЗВАННЫЕ ВВЕДЕНИЕМ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ Mn И Ni

Authors

  • А.А. Ботиржонов Author
  • А.Б. Набиев Author

Keywords:

монокристаллический кремний, дефекты, межузельные (интерстициальные) атомы, электрофизические свойства.

Abstract

Введение примесных атомов в монокристаллический кремний является широко 
используемым методом изменения его свойств в полупроводниковой 
технологии. В данной статье анализируются дефекты, возникающие при 
введении примесных атомов марганца (Mn) и никеля (Ni) в 
монокристаллический кремний, а также их влияние на структурные, 
электронные и тепловые свойства материала. 

References

1]. Sze, Physics of Semiconductor Devices (yarimoʻtkazgichlar fizikasi).

[2].

X.Akramov, S.Zaynobiddinov, A.Teshaboyev Yarimo'tkazgichlarda

fotoelektrik xodisalar,O'zbekiston nashriyoti 1994, b.5-11

[3]. Osipov, A. V. et al. "Phase transformations in Ni/Si systems under thermal

annealing" (Materials Science in Semiconductor Processing) 2015

Downloads

Published

2026-06-17

Issue

Vol. 95 No. 3 (2026): ОБРАЗОВАНИЕ НАУКА И ИННОВАЦИОННЫЕ ИДЕИ В МИРЕ|Выпуск журнала №-95|Часть-3

Section

Articles

How to Cite

ДЕФЕКТЫ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ВЫЗВАННЫЕ ВВЕДЕНИЕМ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ Mn И Ni . (2026). ОБРАЗОВАНИЕ НАУКА И ИННОВАЦИОННЫЕ ИДЕИ В МИРЕ, 95(3), 313-322. https://alpharesearchs.com/index.php/obr/article/view/2518